[发明专利]静态随机存取存储器

摘要

本发明的实施例提供了一种SRAM单位单元，包括第一至第四鳍结构。第一FinFET由第一栅电极和第一鳍结构形成。第二FinFET由第二栅电极和第一鳍结构形成。第三FinFET由第二栅电极和第三鳍结构形成。第四FinFET由第三栅电极和第二鳍结构形成。第五FinFET由第四栅电极和第二鳍结构形成。第六FinFET由第四栅电极和第四鳍结构形成。第一伪鳍结构位于邻近第二FinFET的位置处并且电连接至第一鳍结构。第二伪鳍结构位于邻近第五FinFET的位置处并且电连接至第二鳍结构。本发明的实施例还提供了一种静态随机存取存储器。

主权项

1.一种包括多个静态随机存取存储器单位单元的静态随机存取存储器，所述多个静态随机存取存储器单位单元中的每一个都由单元边界限定并且包括：/n第一鳍结构、第二鳍结构、第三鳍结构和第四鳍结构，在第一方向上延伸并且布置在与所述第一方向相交的第二方向上；/n第一鳍式场效应晶体管，由第一栅电极和所述第一鳍结构形成；/n第二鳍式场效应晶体管，由第二栅电极和所述第一鳍结构形成；/n第三鳍式场效应晶体管，由所述第二栅电极和所述第三鳍结构形成；/n第四鳍式场效应晶体管，由第三栅电极和所述第二鳍结构形成；/n第五鳍式场效应晶体管，由第四栅电极和所述第二鳍结构形成；/n第六鳍式场效应晶体管，由所述第四栅电极和所述第四鳍结构形成；/n第一伪鳍结构，位于邻近所述第二鳍式场效应晶体管的位置处并且通过第一源极/漏极外延层连接至所述第一鳍结构；以及/n第二伪鳍结构，位于邻近所述第五鳍式场效应晶体管的位置处并且通过第二源极/漏极外延层连接至所述第二鳍结构，/n其中，所述第一伪鳍结构没有延伸穿过所述第二栅电极，所述第二伪鳍结构没有延伸穿过所述第四栅电极。/n