[发明专利]静态随机存取存储器

说明书

本发明的实施例提供了一种SRAM单位单元，包括第一至第四鳍结构。第一FinFET由第一栅电极和第一鳍结构形成。第二FinFET由第二栅电极和第一鳍结构形成。第三FinFET由第二栅电极和第三鳍结构形成。第四FinFET由第三栅电极和第二鳍结构形成。第五FinFET由第四栅电极和第二鳍结构形成。第六FinFET由第四栅电极和第四鳍结构形成。第一伪鳍结构位于邻近第二FinFET的位置处并且电连接至第一鳍结构。第二伪鳍结构位于邻近第五FinFET的位置处并且电连接至第二鳍结构。本发明的实施例还提供了一种静态随机存取存储器。

技术领域

本发明涉及半导体器件，并且更具体地涉及具有FET(场效应晶体管)器件的SRAM(静态随机存取存储器)。

背景技术

随着半导体工业在追求更高的器件密度、更高的性能、更低功耗和更低的成本的过程中进入纳米技术工艺节点，来自制造和设计问题的挑战已经引起了诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维设计的发展。在FinFET器件中，有可能使用附加的侧壁并且用于抑制短沟道效应。

发明内容

本发明的实施例提供了一种包括多个静态随机存取存储器单位单元的静态随机存取存储器，所述多个静态随机存取存储器单位单元中的每一个都由单元边界限定并且包括：第一鳍结构、第二鳍结构、第三鳍结构和第四鳍结构，在第一方向上延伸并且布置在与所述第一方向相交的第二方向上；第一鳍式场效应晶体管，由第一栅电极和所述第一鳍结构形成；第二鳍式场效应晶体管，由第二栅电极和所述第一鳍结构形成；第三鳍式场效应晶体管，由所述第二栅电极和所述第三鳍结构形成；第四鳍式场效应晶体管，由第三栅电极和所述第二鳍结构形成；第五鳍式场效应晶体管，由第四栅电极和所述第二鳍结构形成；第六鳍式场效应晶体管，由所述第四栅电极和所述第四鳍结构形成；第一伪鳍结构，位于邻近所述第二鳍式场效应晶体管的位置处并且通过第一源极/漏极外延层连接至所述第一鳍结构；以及第二伪鳍结构，位于邻近所述第五鳍式场效应晶体管的位置处并且通过第二源极/漏极外延层连接至所述第二鳍结构。

本发明的实施例还提供了一种包括多个静态随机存取存储器单位单元的静态随机存取存储器，所述多个静态随机存取存储器单位单元中的每一个都由单元边界限定并且包括：第一鳍结构，在第一方向上并且在所述单元边界的底侧与所述单元边界的和所述底侧相对的顶侧之间延伸；第二鳍结构，在所述第一方向上并且在所述单元边界的底侧与所述单元边界的和所述底侧相对的顶侧之间延伸；第三鳍结构，在所述第一方向上从所述底侧延伸，所述第三鳍结构比所述第一鳍结构短；第四鳍结构，在所述第一方向上从所述顶侧延伸，所述第四鳍结构比所述第二鳍结构短；以及六个场效应晶体管，每一个都包括栅电极并且包括所述第一鳍结构至所述第四鳍结构中的仅仅一个，其中：所述第一鳍结构至所述第四鳍结构顺序设置在与所述第一方向相交的第二方向上，在所述第一方向上延伸的伪鳍结构设置在四个邻近的静态随机存取存储器单位单元聚集的角部处，所述伪鳍结构被所述四个邻近的静态随机存取存储器单位单元共用，和所述伪鳍结构中的每一个都电连接至所述四个邻近的静态随机存取存储器单位单元的四个第一鳍结构或所述四个邻近的静态随机存取存储器单位单元的四个第二鳍结构。