[发明专利]半导体存储装置及存储器系统

摘要

本发明的实施方式提供一种能够使动作高速化的半导体存储装置及存储器系统。实施方式的半导体存储装置1具备：第1及第2存储器单元，分别能够保存包含第1及第2比特的2比特以上的数据；第1及第2字线，分别连接于第1及第2存储器单元；及第1及第2存储器单元阵列，分别包含第1及第2存储器单元。第1比特使用至少第1电压进行确定，第2比特使用与第1电压不同的至少第2及第3电压进行确定。在读出动作时，通过对第1及第2字线施加第1至第3电压，而将与第1比特关联的第1页面从第1存储器单元阵列以页面单位读出，且与第1页面的读出平行地，将与第2比特关联的第2页面从第2存储器单元阵列以页面单位读出。

主权项

一种半导体存储装置，其特征在于具备：第1及第2存储器单元，分别能够保存含第1及第2比特的2比特以上的数据；第1及第2字线，分别连接于所述第1及第2存储器单元；及第1及第2存储器单元阵列，分别包含所述第1及第2存储器单元；且所述第1比特使用至少第1电压进行确定，所述第2比特使用与所述第1电压不同的至少第2及第3电压进行确定，在数据的读出动作时，通过对所述第1及第2字线施加所述第1至第3电压，将与所述第1比特关联的第1页面从所述第1存储器单元阵列以页面单位读出，且与所述第1页面的读出平行地，将与所述第2比特关联的第2页面从所述第2存储器单元阵列以页面单位读出。