[发明专利]一种三端式磁性随机存储器及其读写方法有效
| 申请号： | 201610733651.0 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107785481B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 左正笏;喻涛;陈志刚;刘瑞盛;刘波 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12;G11C11/15 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨天娇 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三端式磁性随机存储器及其读写方法，属于半导体存储技术领域，在应力和电场辅助的STT‑MRAM的自由层上，与辅助层接触的一面引出有第三端，在底、顶电极之间施加电场让自旋转移扭矩磁电阻随机存储器实现写入/擦除功能，在底或顶电极和第三端之间施加电场读存储状态阻值。本发明提出的三端式STT‑MRAM在读MTJ电阻状态时不经过辅助层，从而提高了MTJ存储单元的高低阻态的信号分辨能力，具有很大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三端式 磁性 随机 存储器 及其 读写 方法 | ||
【主权项】：
一种三端式磁性随机存储器，包括沉积在衬底上的底电极、辅助层、自由层、势垒层、钉扎层和顶电极，所述顶电极连接第一端，所述底电极连接第二端，其特征在于，所述自由层上，在与辅助层接触的一面引出有第三端。
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