[发明专利]一种三端式磁性随机存储器及其读写方法有效
| 申请号： | 201610733651.0 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107785481B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 左正笏;喻涛;陈志刚;刘瑞盛;刘波 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12;G11C11/15 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨天娇 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三端式 磁性 随机 存储器 及其 读写 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种三端式磁性随机存储器的读写方法，所述磁性随机存储器包括沉积在衬底上的底电极、辅助层、自由层、势垒层、钉扎层和顶电极，所述顶电极连接第一端，所述底电极连接第二端，其特征在于，所述磁性随机存储器自由层上，在与辅助层接触的一面引出有第三端，在写的阶段采用第一端和第二端，在读的阶段采用第三端和未直接连接辅助层一端。
2.根据权利要求1所述的三端式磁性随机存储器的读写方法，其特征在于，所述底电极连接辅助层，所述在读的阶段采用第三端和未直接连接辅助层一端，是指第三端与第一端。
3.根据权利要求1所述的三端式磁性随机存储器的读写方法，其特征在于，所述顶电极连接辅助层，所述在读的阶段采用第三端和未直接连接辅助层一端，是指第三端与第二端。
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