[发明专利]半导体结构和形成半导体结构的方法在审
| 申请号： | 201610729357.2 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106803493A | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 李智銘;廖宏哲;庄坤苍;陆为中 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了半导体结构和用于形成半导体结构的方法。该方法包括接收其上具有彼此邻近的两段导体的衬底以及位于两段导体之间的谷，用第一钝化材料填充谷以形成钝化谷，施加上覆两段导体和钝化谷并且位于衬底上方的第二钝化材料，并且去除上覆两段导体和钝化谷的第二钝化材料以及位于衬底上方但没有与两段导体和钝化谷接触的第二钝化材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：接收其上具有彼此邻近的两段导体的衬底以及位于所述两段导体之间的谷；用第一钝化材料填充所述谷以形成钝化谷；施加上覆所述两段导体和所述钝化谷并且位于所述衬底上方的第二钝化材料；以及去除上覆所述两段导体和所述钝化谷的所述第二钝化材料以及位于所述衬底上方但没有与所述两段导体和所述钝化谷接触的所述第二钝化材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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