[发明专利]半导体发光装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201610727568.2 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106505132A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 金基石 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/14;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 张帆,张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED及其制造方法，所述LED包括半导体堆叠件，其包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、布置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层、以及穿过第二导电半导体层和有源层形成以暴露出布置在有源层下方的第一导电半导体层的一些部分的沟槽；第一指形电极，其沿着各沟槽布置，并且电连接至第一导电半导体层在沟槽中暴露出的所述一些部分；绝缘层，第一指形电极位于绝缘层上，并且绝缘层布置在第二导电半导体层和各沟槽的内侧壁上；以及第二指形电极，其电连接至第二导电半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光装置，包括：半导体堆叠件，其包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、布置在所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层之间的有源层、以及穿过所述第二导电半导体层和所述有源层形成以暴露出布置在所述有源层下方的第一导电半导体层的一些部分的沟槽；第一指形电极，其沿着各沟槽布置，并且电连接至所述第一导电半导体层在各沟槽中暴露出的所述一些部分；绝缘层，所述第一指形电极位于所述绝缘层上，并且所述绝缘层布置在所述第二导电半导体层和各沟槽的内侧壁上；以及第二指形电极，其电连接至所述第二导电半导体层。
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