[发明专利]用于嵌入式闪存的无氮化物间隔件或氧化物间隔件

摘要

在一些实施例中，半导体衬底包括通过沟道区域彼此分隔开的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域。该沟道区域包括邻近第一源极/漏极区域的第一部分和邻近第二源极/漏极区域的第二部分。选择栅极间隔在沟道区域的第一部分上方并且通过选择栅极电介质与沟道区域的第一部分分隔开。存储栅极间隔在沟道区域的第二部分上方并且通过电荷捕获介电结构与沟道区域的第二部分分隔开。电荷捕获介电结构在存储栅极旁边向上延伸以将选择栅极和存储栅极的相邻的侧壁彼此分隔开。氧化物间隔件或无氮化物间隔件布置在最靠近第二源极/漏极区域的电荷捕获介电结构的侧壁凹槽中。本发明的实施例还涉及用于嵌入式闪存的无氮化物间隔件或氧化物间隔件。

主权项

1.一种包括分裂闪存单元的集成电路，包括：半导体衬底，包括通过沟道区域彼此分隔开的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，其中，所述沟道区域包括邻近所述第一源极/漏极区域的第一部分和邻近所述第二源极/漏极区域的第二部分；选择栅极，间隔在所述沟道区域的所述第一部分上方并且通过选择栅极电介质与所述沟道区域的所述第一部分分隔开；存储栅极，间隔在所述沟道区域的所述第二部分上方并且通过电荷捕获介电结构与所述沟道区域的所述第二部分分隔开，所述电荷捕获介电结构越过所述存储栅极的侧壁横向延伸以建立壁架；氧化物间隔件或无氮化物间隔件，布置在最靠近所述第二源极/漏极区域并且直接位于所述沟道区域的所述第二部分上方的所述电荷捕获介电结构的侧壁凹槽中；以及存储栅极侧壁间隔件，设置在所述壁架上并且在所述存储栅极的所述侧壁旁边向上延伸，以将所述存储栅极的侧壁与所述氧化物间隔件或所述无氮化物间隔件完全分隔开。