[发明专利]图像传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201610717079.9 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106653780A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 王子睿;杨敦年;刘人诚;许慈轩;山下雄一郎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种图像传感器结构及其形成方法。图像传感器结构包括衬底，该衬底包括第一感光区域和第二感光区域。图像传感器结构还包括隔离结构，穿过衬底形成以使第一感光区域与第二感光区域分离；以及第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构，形成在衬底的前侧处。另外，第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构位于隔离结构的相对侧处。图像传感器结构还包括接触件，形成在隔离结构上方并且形成在第一源极/漏极结构的一部分和第二源极/漏极结构的一部分上方。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器结构，包括：衬底，包括第一感光区域和第二感光区域；隔离结构，穿过所述衬底形成以分离所述第一感光区域与所述第二感光区域；第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构，形成在所述衬底的前侧处，其中，所述第一源极/漏极结构和所述第二源极/漏极结构位于所述隔离结构的相对侧处；接触件，形成在所述隔离结构上方并且形成在所述第一源极/漏极结构的一部分和所述第二源极/漏极结构的一部分上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
