[发明专利]图像传感器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及半导体领域，更具体地，涉及图像传感器及其制造方法。

背景技术

半导体器件用于多种电子应用，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他的电子设备。通常通过以下步骤来制造半导体器件：在半导体衬底上方相继沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层；以及使用光刻来图案化该多个材料层，以在该多个材料层上形成电路组件和元件。

然而，虽然现有的半导体制造工艺通常已经满足于它们的预期目的，但是随着器件按比例缩小的继续，它们并非在各个方面都满足要求。

发明内容

本发明的实施例提供了一种图像传感器结构，包括：衬底，包括第一感光区域和第二感光区域；隔离结构，穿过所述衬底形成以分离所述第一感光区域与所述第二感光区域；第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构，形成在所述衬底的前侧处，其中，所述第一源极/漏极结构和所述第二源极/漏极结构位于所述隔离结构的相对侧处；接触件，形成在所述隔离结构上方并且形成在所述第一源极/漏极结构的一部分和所述第二源极/漏极结构的一部分上方

本发明的实施例还提供了一种图像传感器结构，包括：衬底；隔离结构，穿过所述衬底形成以将所述衬底划分为第一区域和第二区域；第一感光区域，形成在所述衬底的第一区域中；第二感光区域，形成在所述衬底的第二区域中；第一栅极结构，形成在所述衬底的第一区域上方；第二栅极结构，形成在所述衬底的第二区域上方；第一源极/漏极结构，邻近所述第一栅极结构形成；第二源极/漏极结构，邻近所述第二栅极结构形成；以及接触件，与所述隔离结构重叠并且与所述第一源极/漏极结构的一部分和所述第二源极/漏极结构的一部分重叠。

本发明的实施例还提供了一种用于制造图像传感器结构的方法，包括：在衬底中形成隔离结构以将所述衬底划分为第一区域和第二区域；在所述第一区域中形成第一感光区域，并且在所述第二区域中形成第二感光区域；在所述第一区域上方形成第一栅极结构，并且在所述第二区域上方形成第二栅极结构，其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构位于所述衬底的前侧处；邻近所述第一栅极结构形成第一源极/漏极结构，并且邻近所述第二栅极结构形成第二源极/漏极结构；在所述衬底的前侧上方形成层间介电层以覆盖所述第一栅极结构和所述第二栅极结构；穿过所述层间介电层形成接触沟槽，从而使得通过所述接触沟槽暴露所述第一源极/漏极结构的一部分、所述第二源极/漏极结构的一部分和所述隔离结构；以及在所述接触沟槽中形成接触件。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的各个方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1是根据一些实施例的图像传感器结构的像素布局的顶视图。

图2A至图2L是根据一些实施例的形成沿着图1中所示的线A-A'所示出的图像传感器结构的各个阶段的截面示图。

图3是根据一些实施例的沿着图1中示出的线B-B’所示出的图像传感器结构的截面示图。

图4A是根据一些实施例的图像传感器结构的像素布局的顶视图。

图4B是根据一些实施例的沿着图4A中示出的线C-C’所示出的图像传感器结构的截面示图。

图5是根据一些实施例的图像传感器结构的截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多不同实施例或实例，用于实现本发明的不同特征。以下将描述组件和布置的特定实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不意欲限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。另外，本发明可以在多个实例中重复参考标号和/或字符。这种重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等空间关系术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除图中所示的方位之外，空间关系术语意欲包括使用或操作过程中的器件的不同的方位。装置可以以其它方式定位(旋转90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空间关系描述符可同样地作相应地解释。