[发明专利]鳍式场效晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610689119.3 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106711143B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，包括半导体衬底以及位于半导体衬底上的半导体鳍。其中，半导体鳍在两个单元共用的共同边界处具有鳍隔离结构。鳍隔离结构具有从半导体鳍顶部延伸至半导体衬底上的停止层的气隙。气隙将半导体鳍分成半导体鳍的两部分。鳍隔离结构包括覆盖在气隙顶部的介电覆盖层。本发明实施例涉及鳍式场效晶体管结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式场效 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的停止层；位于所述停止层上的半导体鳍；以及位于所述半导体鳍上的彼此邻近的两个单元，所述半导体鳍在所述两个单元共用的共同边界处具有鳍隔离结构，所述鳍隔离结构具有从所述半导体鳍的顶部延伸至所述停止层的气隙，其中，所述气隙将所述半导体鳍分为所述半导体鳍的两部分，所述鳍隔离结构包括覆盖所述气隙的顶部的介电覆盖层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
