[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610679917.8 | 申请日： | 2016-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN107731920B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 萧世楹;杨庆忠;江品宏;李年中;李文芳;王智充;刘冠良;张凯焜 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括一基底、一栅极介电层、漏极及源极以及一栅极。基底具有一凹槽。栅极介电层设置于凹槽中，栅极介电层具有一平坦上表面及一突出边缘，突出边缘沿着实质上垂直于基底的方向突出于平坦上表面。漏极及源极设置于栅极介电层的相对侧边。栅极形成于栅极介电层上，栅极与栅极介电层的突出边缘沿着实质上平行于基底的方向彼此不交叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：基底，具有凹槽；栅极介电层，设置于该凹槽中，其中该栅极介电层具有一平坦上表面及一突出边缘，该突出边缘沿着实质上垂直于该基底的方向突出于该平坦上表面；漏极及源极，设置于该栅极介电层的相对侧边；以及栅极，设置于该栅极介电层上，其中该栅极与该栅极介电层的该突出边缘在沿着实质上平行于该基底的方向彼此不交叠。
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