[发明专利]制备功率半导体器件的方法和功率半导体器件有效
| 申请号： | 201610677403.9 | 申请日： | 2016-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN107768250B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 郑忠庆;王志伟;王艳春 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/331;H01L21/329;H01L29/861;H01L29/739;H01L29/78;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 南毅宁;桑传标 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种制备功率半导体器件的方法和功率半导体器件，该方法包括：在形成了层间介质层的功率半导体器件半成品(100)的层间介质层上形成正面金属层(11)；对所述正面金属层(11)进行蚀刻处理；对蚀刻处理后的正面金属层(11)进行合金处理；在合金处理后的正面金属层(11)上形成正面钛镍银层(12)；以及对所述正面钛镍银层(12)进行蚀刻处理。本公开提供的方法制备得到正面覆盖有正面钛镍银层的功率半导体器件，封装时功率半导体器件正面能够使用焊接工艺，能够提高功率半导体器件正面的散热能力，进而提高功率半导体器件的整体散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 功率 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制备功率半导体器件的方法，其特征在于，该方法包括：在形成了层间介质层的功率半导体器件半成品(100)的层间介质层上形成正面金属层(11)；对所述正面金属层(11)进行蚀刻处理；对蚀刻处理后的正面金属层(11)进行合金处理；在合金处理后的正面金属层(11)上形成正面钛镍银层(12)；以及对所述正面钛镍银层(12)进行蚀刻处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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