[发明专利]制备功率半导体器件的方法和功率半导体器件

权利要求书

1.一种制备功率半导体器件的方法，其特征在于，该方法包括：

在形成了层间介质层的功率半导体器件半成品(100)的层间介质层上形成正面金属层(11)；

对所述正面金属层(11)进行蚀刻处理；

对蚀刻处理后的正面金属层(11)进行合金处理；

在合金处理后的正面金属层(11)上形成正面钛镍银层(12)；以及

对所述正面钛镍银层(12)进行蚀刻处理，

其中，所述功率半导体器件半成品(100)的制作步骤包括：

在衬底(1)上形成栅氧化层(2)；

在所述栅氧化层(2)上形成多晶硅栅(3)；

将所述多晶硅栅(3)和栅氧化层(2)进行第一蚀刻处理，以形成第一蚀刻区(4)，其中，所述第一蚀刻区(4)贯穿所述多晶硅栅(3)并且深入至所述栅氧化层(2)中；

在所述衬底(1)中形成下层离子注入区(5)、中层离子注入区(8)和上层离子注入区(6)，在所述栅氧化层(2)和所述多晶硅栅(3)上形成热氧化层(7)，其中，所述中层离子注入区(8)和所述上层离子注入区(6)位于所述下层离子注入区(5)中，所述中层离子注入区(8)位于所述上层离子注入区(6)下方；

在所述热氧化层(7)上形成层间介质层(9)；

形成接触孔(10)，所述接触孔(10)由上至下贯穿所述层间介质层(9)、热氧化层(7)和上层离子注入区(6)直至所述中层离子注入区(8)中；

其中，所述正面金属层(11)填充在所述接触孔(10)内以及形成于所述层间介质层(9)上，

其中，在所述对所述正面金属层(11)进行蚀刻处理之后，在所述在合金处理后的正面金属层(11)上形成正面钛镍银层(12)之前，所述方法还包括：

在蚀刻处理后的正面金属层(11)之上形成护层，所述正面钛镍银层(12)覆盖所述护层的边界。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述对所述正面金属层(11)进行蚀刻处理之后，在所述对蚀刻处理后的正面金属层(11)进行合金处理之前，在蚀刻处理后的正面金属层(11)之上形成氮化硅护层(13)；以及

在所述对蚀刻处理后的正面金属层(11)进行合金处理之后，在所述在合金处理后的正面金属层(11)上形成正面钛镍银层(12)之前，在所述氮化硅护层(13)上形成聚酰亚胺薄膜护层(14)。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底(1)中形成下层离子注入区(5)、中层离子注入区(8)和上层离子注入区(6)，在所述栅氧化层(2)和所述多晶硅栅(3)上形成热氧化层(7)的步骤包括：

在所述衬底(1)的上部形成第一离子注入区(I)，其中，所述第一离子注入区(I)的导电类型与所述衬底(1)的导电类型相反，并且所述第一离子注入区(I)位于所述第一蚀刻区(4)的下方，所述第一离子注入区(I)为所述下层离子注入区(5)；

在所述第一离子注入区(I)中形成第二离子注入区(II)；

在所述栅氧化层(2)和所述多晶硅栅(3)上形成热氧化层(7)；

在所述第一离子注入区(I)中形成第三离子注入区(III)；

其中，所述上层离子注入区(6)为所述第二离子注入区(II)和第三离子注入区(III)中的一个，所述中层离子注入区(8)为所述第二离子注入区(II)和第三离子注入区(III)中的另一个，且所述上层离子注入区(6)的导电类型与所述衬底(1)的导电类型相同，所述中层离子注入区(8)的导电类型与所述第一离子注入区(I)的导电类型相同。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述功率半导体器件半成品(100)的制作步骤还包括：

在所述衬底(1)的下方形成铝层(15)；

在所述铝层(15)的下方形成背面钛镍银层(16)。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述功率半导体器件半成品(100)的制作步骤还包括：

在所述衬底(1)的下方形成P区(17)；

在所述P区(17)的下方形成铝层(15)；

在所述铝层(15)的下方形成背面钛镍银层(16)。