[发明专利]三维叠层结构在审
| 申请号： | 201610668528.5 | 申请日： | 2016-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN107437539A | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 黄毓慧;蔡肇杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/04 | 分类号： | H01L25/04;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 马雯雯,臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维叠层结构。三维叠层结构包括至少一底层晶粒、上层晶粒以及间隙物保护结构。底层晶粒包括位于非接合区域内的接触垫。上层晶粒叠层于底层晶粒上而不覆盖底层晶粒的接触垫，且底层晶粒通过位于两者之间的接合结构与上层晶粒接合。间隙物保护结构是设置在底层晶粒上且覆盖上层晶粒以保护上层晶粒。通过将上层晶粒叠层至下层晶粒之前形成抗接合层，可将上层晶粒部分移除以暴露出下层晶粒的接触垫来做为后续连接。据此，具有间隙物保护结构保护上层晶粒的叠层结构可以更加坚固，因此，可改善电性性能并为半导体装置带来较佳的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 结构 | ||
【主权项】：
一种三维叠层结构，包括：第一晶粒，其具有第一接合结构，其中所述第一接合结构包括接触垫；第二晶粒，其具有第二接合结构，其中所述第二晶粒叠层在所述第一晶粒上，且所述第二接合结构与所述第一接合结构接合；间隙物保护结构，设置在所述第一晶粒上且环绕所述第二晶粒，其中所述间隙物保护结构覆盖所述第二晶粒的侧壁；以及抗接合层，设置在所述第一晶粒上且位于所述间隙物保护结构以及所述第一晶粒之间。
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