[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成栅极结构；在栅极结构两侧基底内形成源漏掺杂区；在源漏掺杂区上形成层间介质层；在层间介质层上形成具有多个第一开口的掩膜层，第一开口贯穿掩膜层，且第一开口沿平行于基底表面的截面为长方形，第一开口的长边具有第一长度；其中，平行于第一开口长边的方向为第一开口的延伸方向；对掩膜层进行表面处理去除部分掩膜层，增加第一长度；以掩膜层为掩膜刻蚀层间介质层，在层间介质层内形成露出源漏掺杂区的接触孔。本发明对掩膜层进行表面处理，增加第一开口的第一长度，从而使接触孔沿延伸方向的长度尺寸增加，进而避免因接触孔沿延伸方向的长度尺寸过小，而难以露出源漏掺杂区的问题。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的基底内形成源漏掺杂区；在所述源漏掺杂区上形成层间介质层；在所述层间介质层上形成具有多个第一开口的掩膜层，所述第一开口贯穿所述掩膜层，且所述第一开口沿平行于所述基底表面的截面为长方形，所述第一开口的长边具有第一长度；其中，平行于所述第一开口长边的方向为所述第一开口的延伸方向；对所述掩膜层进行表面处理去除部分掩膜层，增加所述第一开口的第一长度；以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述层间介质层，形成贯穿所述层间介质层、并暴露出所述源漏掺杂区的接触孔；在所述接触孔中形成接触孔插塞。