[发明专利]一种导电沟道的制作方法有效
申请号: | 201610663451.2 | 申请日: | 2016-08-12 |
公开(公告)号: | CN106058050B | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 刘哲 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种导电沟道的制作方法,其包括提供一基板;在基板上形成一图案化的第一有机牺牲层;在基板上形成一图案化的第一有机半导体层;去除图案化的第一有机牺牲层,使得图案化的第一有机半导体层的第一沟道部分形成第一导电沟道;在基板上形成一图案化的第二有机牺牲层;在基板上形成一图案化的第二有机半导体层;去除图案化的第二有机牺牲层,使得图案化的第二有机半导体层的第二沟道部分形成第二导电沟道。本发明的导电沟道的制作方法可以在目标基板或者其它功能层上,直接定义图案化的导电沟道,并不需要一些高规格的真空或者打印设备,减少了设备费用,并且工艺流程较简单。 | ||
搜索关键词: | 一种 导电 沟道 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种导电沟道的制作方法,其特征在于,包括:提供一基板;在所述基板上形成一图案化的第一有机牺牲层;在所述基板上形成一图案化的第一有机半导体层,其中所述图案化的第一有机半导体层包括第一沟道部分和第一非沟道部分,所述第一非沟道部分设置在所述图案化的第一有机牺牲层上,其中第一沟道部分位于所述图案化的第一有机牺牲层的左、右两侧;去除所述图案化的第一有机牺牲层,使得所述图案化的第一有机半导体层的第一沟道部分形成第一导电沟道;在所述基板上形成一图案化的第二有机牺牲层;在所述基板上形成一图案化的第二有机半导体层,其中所述图案化的第二有机半导体层包括第二沟道部分和第二非沟道部分,所述第二非沟道部分设置在所述第一导电沟道上;去除所述图案化的第二有机牺牲层,使得所述图案化的第二有机半导体层的第二沟道部分形成第二导电沟道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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