[发明专利]一种用于微带电路的图形电镀方法有效
申请号: | 201610659075.X | 申请日: | 2016-08-11 |
公开(公告)号: | CN106298626B | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 曹乾涛;龙江华;赵海轮 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
主分类号: | H01L21/70 | 分类号: | H01L21/70;H01L27/01 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 王连君 |
地址: | 266555 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于微带电路的图形电镀方法,属于微波毫米波薄膜混合集成电路技术领域。本发明将孤立导体图形较多的微带电路,由原来的基片正面图形电镀与背部接地面整体电镀相结合的方法改为双面图形电镀工艺,使切割道位置处的介质层暴露在外面,有效地减少了划切微带电路时膜层脱落现象的发生,提高了微带电路的划切质量和成品率,解决了使用现有工艺方法制作时切割道上电镀保护层的加载和释放两个过程对微带电路电镀功能层因应力影响而发生膜层起翘脱落的问题;本发明仅使阵列电路正反面导体图形区域得到功能层的电镀沉积,避免了阵列图形之外的切割道、工艺边等其它区域的金等贵金属涂覆,减少了电镀涂覆面积,节约了成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 微带 电路 图形 电镀 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于微带电路的图形电镀方法,其特征在于:按照如下步骤进行:步骤1:将电路上的正面导体图形、切割道划切标记和正面对准标记作为第一信息层制作第一掩膜版,将电路上的反面导体图形和反面对准标记作为第二信息层制作第二掩膜版,并完成在基片的正反面上金属种子层薄膜的制作;步骤2:在基片的正反面形成光刻胶掩膜套刻对准图形,具体包括:步骤2.1:在基片的正反面上涂覆光刻胶;步骤2.2:将正反面上涂覆有光刻胶的基片进行前烘;步骤2.3:采用紫外线对第一掩膜版和第二掩膜版与基片的正反面进行接触式曝光;步骤2.4:曝光后使用显影液显影;步骤2.5:显影后进行后烘;步骤2.6:在基片的正反面形成光刻胶掩膜套刻对准图形;步骤3:在基片正反面套刻对准图形上电镀导体层和保护层;步骤4:剥离光刻胶,将基片正反面未电镀加厚区域的金属种子层薄膜刻蚀干净;步骤5:去除保护层,判断微带电路的正面电路图形是否包含薄膜电阻;若:判断结果是正面电路图形包含薄膜电阻,则套刻薄膜电阻;或判断结果是正面电路图形不包含薄膜电阻,则执行步骤6;步骤6:完成微带电路图形电镀操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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