[发明专利]一种高密度射频多芯片封装结构

摘要

本发明涉及一种高密度射频多芯片封装结构，包括：基片(1)、基片(2)、基片(3)、壳体(4)、芯片(5)、芯片(6)、芯片(7)、芯片(8)，壳体(4)组装在基片(1)上并与基片(1)围成空间，基片(2)、基片(3)、芯片(5)、芯片(6)、芯片(7)、芯片(8)均设置于空间内；芯片(6)组装在基片(1)上；芯片(8)组装在基片(2)上，并通过基片(2)与基片(1)连接；芯片(5)组装在壳体(4)上；芯片(7)组装在基片(3)上，并通过基片(3)与壳体(4)连接，能够将若干有源芯片和若干无源器件进行三维混合高密度集成。

主权项

1.一种高密度射频多芯片封装结构，其特征在于，包括：第一基片(1)、第二基片(2)、第三基片(3)、壳体(4)、第一芯片(5)、第二芯片(6)、第三芯片(7)和第四芯片(8)，其中：所述壳体(4)组装在所述第一基片(1)上并与所述第一基片(1)围成空间，所述第二基片(2)、所述第三基片(3)、所述第一芯片(5)、所述第二芯片(6)、所述第三芯片(7)、所述第四芯片(8)均设置于所述空间内；所述第二芯片(6)组装在所述第一基片(1)上；所述第四芯片(8)组装在所述第二基片(2)上，并通过所述第二基片(2)与所述第一基片(1)连接；所述第一芯片(5)组装在所述壳体(4)上；并且所述第三芯片(7)组装在所述第三基片(3)上，并通过所述第三基片(3)与所述壳体(4)连接，其中所述第一基片(1)、第二基片(2)和第三基片(3)的设置位置逐渐升高。