[发明专利]分布反馈半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610646149.6 | 申请日： | 2016-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN107706738B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 王健;罗毅;孙长征;熊兵 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/32 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 郑海威 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种分布反馈（DFB）半导体激光器。所述DFB半导体激光器包括光栅和输出光端面，该光栅位于条状波导的欧姆接触层和波导上限制层两侧，由周期性的半导体和绝缘材料构成；所述输出光端面为刻蚀形成的垂直于衬底表面的端面，所述DFB半导体激光器无需解离就可以进行端面镀膜。本发明还涉及上述DFB半导体激光器的制备方法，所述DFB半导体激光器在整个制备方法中只需要一次外延，通过刻蚀波导两侧的欧姆接触层和上限制层、并填充绝缘材料实现所述DFB半导体激光器的光栅，通过刻蚀波导两端的上限制层、有源层、下限制层和一部分衬底以及整个晶片镀膜实现DFB半导体激光器的输出光端面。 | ||
| 搜索关键词： | 分布 反馈 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种DFB半导体激光器，包括光栅和两个端面，其特征在于：所述光栅为表面光栅，所述端面为刻蚀形成的端面。
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