[发明专利]一种掩膜图形缺陷的修复方法有效
申请号: | 201610642440.6 | 申请日: | 2016-08-08 |
公开(公告)号: | CN107703715B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 施维 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种掩膜图形缺陷的修复方法,涉及半导体技术领域。本发明的修复方法通过减小所述掩膜缺陷图形或者所述正常掩膜图形的像素,使所述掩膜缺陷图形或者所述正常掩膜图形的尺寸相应缩小,放大掩膜缺陷图形和正常掩膜图形之间的不同区,该不同区即为缺陷区,进而很容易识别定位出缺陷区的位置,因此,本发明的方法可以通过修改控制菜单参数自动定位缺陷修复区域,成功的实现对纳米级微缺陷的修复。 | ||
搜索关键词: | 一种 图形 缺陷 修复 方法 | ||
【主权项】:
一种掩膜图形缺陷的修复方法,其特征在于,包括:获取光刻掩膜版上掩膜图形缺陷位置对应的掩膜图形的SEM图像和正常掩膜图形相应位置的SEM图像,其中,掩膜图形缺陷位置对应的掩膜图形的SEM图像是掩膜缺陷图像,所述正常掩膜图形相应位置的SEM图像是正常掩膜图像;提取所述掩膜缺陷图像和所述正常掩膜图像的边缘特征,并将其转化为几何图形格式存储,从而得到初始掩膜缺陷图形和初始正常掩膜图形;对所述初始掩膜缺陷图形和初始正常掩膜图形的边缘轮廓中的空白区域进行填充,从而形成掩膜缺陷图形和正常掩膜图形;减小所述掩膜缺陷图形或者所述正常掩膜图形的像素,使所述掩膜缺陷图形或者所述正常掩膜图形的尺寸相应缩小,从而分别获得中间掩膜缺陷图形或者中间正常掩膜图形;提取所述中间掩膜缺陷图形或者所述中间正常掩膜图形的边缘特征,并将其转化为几何图形格式存储,从而获得所述中间掩膜缺陷图形的边缘轮廓图形或者所述中间正常掩膜图形的边缘轮廓图形;将所述中间掩膜缺陷图形的边缘轮廓图形和所述初始正常掩膜图形进行重叠比对,或者,将所述中间正常掩膜图形的边缘轮廓图形和所述初始掩膜缺陷图形进行重叠比对,识别未重叠的区域,所述未重叠的区域即为缺陷区域,从而定位所述光刻掩膜版中缺陷的位置;对所述光刻掩膜版上的缺陷进行修复。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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