[发明专利]一种掩膜图形缺陷的修复方法有效

专利信息
申请号: 201610642440.6 申请日: 2016-08-08
公开(公告)号: CN107703715B 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 施维 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G03F1/72 分类号: G03F1/72
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种掩膜图形缺陷的修复方法,涉及半导体技术领域。本发明的修复方法通过减小所述掩膜缺陷图形或者所述正常掩膜图形的像素,使所述掩膜缺陷图形或者所述正常掩膜图形的尺寸相应缩小,放大掩膜缺陷图形和正常掩膜图形之间的不同区,该不同区即为缺陷区,进而很容易识别定位出缺陷区的位置,因此,本发明的方法可以通过修改控制菜单参数自动定位缺陷修复区域,成功的实现对纳米级微缺陷的修复。
搜索关键词: 一种 图形 缺陷 修复 方法
【主权项】:
一种掩膜图形缺陷的修复方法,其特征在于,包括:获取光刻掩膜版上掩膜图形缺陷位置对应的掩膜图形的SEM图像和正常掩膜图形相应位置的SEM图像,其中,掩膜图形缺陷位置对应的掩膜图形的SEM图像是掩膜缺陷图像,所述正常掩膜图形相应位置的SEM图像是正常掩膜图像;提取所述掩膜缺陷图像和所述正常掩膜图像的边缘特征,并将其转化为几何图形格式存储,从而得到初始掩膜缺陷图形和初始正常掩膜图形;对所述初始掩膜缺陷图形和初始正常掩膜图形的边缘轮廓中的空白区域进行填充,从而形成掩膜缺陷图形和正常掩膜图形;减小所述掩膜缺陷图形或者所述正常掩膜图形的像素,使所述掩膜缺陷图形或者所述正常掩膜图形的尺寸相应缩小,从而分别获得中间掩膜缺陷图形或者中间正常掩膜图形;提取所述中间掩膜缺陷图形或者所述中间正常掩膜图形的边缘特征,并将其转化为几何图形格式存储,从而获得所述中间掩膜缺陷图形的边缘轮廓图形或者所述中间正常掩膜图形的边缘轮廓图形;将所述中间掩膜缺陷图形的边缘轮廓图形和所述初始正常掩膜图形进行重叠比对,或者,将所述中间正常掩膜图形的边缘轮廓图形和所述初始掩膜缺陷图形进行重叠比对,识别未重叠的区域,所述未重叠的区域即为缺陷区域,从而定位所述光刻掩膜版中缺陷的位置;对所述光刻掩膜版上的缺陷进行修复。
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