[发明专利]一种晶圆减薄方法及装置在审
| 申请号： | 201610638222.5 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN107689326A | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆减薄方法及装置，该方法包括如下步骤提供一晶圆，所述晶圆包括正面和背面，所述正面形成有IC裸芯；将所述晶圆正面朝下放入干法刻蚀腔体中，利用密封环遮挡所述晶圆的外围边缘，仅露出需要减薄的晶圆背面的中心区域；通入刻蚀气体ClF3对所述晶圆背面的中心区域进行干法刻蚀至预设厚度，得到减薄的晶圆。本发明避免了机械研磨对晶圆造成的损伤，通过增设密封环和边缘保护气体，可以对晶圆背面的中心区域进行高速率的干法刻蚀，相对于现有技术的TAIKO工艺，本发明简化了工艺步骤，降低了生产成本，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆减薄 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括正面和背面，所述正面形成有IC裸芯；将所述晶圆正面朝下放入干法刻蚀腔体中，利用密封环遮挡所述晶圆的外围边缘，仅露出需要减薄的晶圆背面的中心区域；通入刻蚀气体ClF3对所述晶圆背面的中心区域进行干法刻蚀至预设厚度，得到减薄的晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
