[发明专利]一种双层钙钛矿发光二极管及其制备方法有效
申请号: | 201610635175.9 | 申请日: | 2016-08-05 |
公开(公告)号: | CN106450009B | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 鲍桥梁;卡西木;李绍娟;李鹏飞 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 姚惠菱 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种双层钙钛矿发光二极管及其制备方法,双层钙钛矿发光二极管自下而上分别包括:ITO导电玻璃作为阳极,旋涂一层20nm左右的聚3,4‑乙烯二氧噻吩‑聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)作为空穴传输层;采用2次旋涂法制备双层钙钛矿发光层,采用的钙钛矿发光层可以是具有不同卤素配比的钙钛矿;在钙钛矿层上旋涂一层大约50nm厚的掺杂钙的氧化锌(Ca:ZnO)作为电子传输层;最后蒸镀金属钙和铝作为阴极。本发明一方面通过调控Ca:ZnO中Ca的浓度,得到一个最优的带隙,降低电子传输层与钙钛矿之间的势垒,从而降低发光二极管的开启电压,同时提高发光二极管的发光效率和内量子效率;另一方面,通过调节钙钛矿中的卤素配比,可以实现不同颜色发光。 | ||
搜索关键词: | 一种 双层 钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种双层钙钛矿发光二极管的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)准备ITO导电玻璃作为阳极基底;(2)制备空穴传输层,在ITO导电玻璃上旋涂PEDOT:PSS,然后烘干;(3)制备钙钛矿发光层,首先制备CH3NH3PbBr3和CH3NH3PbI3两种前驱体溶液,其中溶剂为无水N,N‑二甲基甲酰胺,然后将两种前驱体溶液按照摩尔比为0~1:1~0混合得到不同卤素配比的钙钛矿溶液;(4)旋涂钙钛矿发光层,将旋涂了PEDOT:PSS的ITO导电玻璃加热并保持在所需热度,将钙钛矿溶液加热后旋涂在PEDOT:PSS层上,然后滴入氯苯并旋涂,得到第一钙钛矿层,并退火处理,在第一钙钛矿层的顶部以同样的方法继续旋涂得到第二钙钛矿层,形成双层钙钛矿薄膜,最后退火处理得到钙钛矿发光层;(5)制备电子传输层,在钙钛矿发光层的上方旋涂含有Ca掺杂的ZnO纳米颗粒溶液,得到电子传输层;(6)制备阴极,在高真空下,于电子传输层上热蒸发沉积一定厚度的电极材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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