[发明专利]一种半导体装置在审
| 申请号： | 201610628271.0 | 申请日： | 2016-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN107665918A | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，包括不同导电材料交替排列形成的漂移层，在漂移层中设置沟槽，在沟槽内填充导电材料；与现有技术相比，改变漂移层中的电场分布，抑制器件上下峰值电场，增加器件中部电场波动，降低器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，位于衬底层之上和沟槽之间，为第一导电半导体材料与第二导电半导体材料交替排列而成；多个沟槽，位于衬底层之上，沟槽通过隔离绝缘材料，在沟槽上下方向上设置多个部分，沟槽上下方向上多个部分内设置导电材料，导电材料包括为金属或掺杂多晶半导体材料，导电材料与沟槽内壁之间设置有绝缘层，沟槽内壁绝缘层设置缺口，沟槽内壁绝缘层缺口位于沟槽的顶部、底部或侧壁，实现导电材料与衬底层、漂移层或表面电极材料接触。
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