[发明专利]通过凹槽轮廓控制的增强的体积控制在审
| 申请号： | 201610627370.7 | 申请日： | 2016-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN106531803A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 程潼文;张哲诚;林木沧;杨柏峰;游承谚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过在邻近沟道区的凹槽中形成介电材料来控制沟道区上的应变的半导体器件，以为了提供对形成在凹槽内的外延源极/漏极区的应变诱导材料的体积和形状的控制。在一些实施例中，半导体器件具有布置在半导体本体的位于沟道区的相对两侧上的上表面内的凹槽中的外延源极/漏极区。栅极结构布置在沟道区上方，并且介电材料横向布置在外延源极/漏极区和沟道区之间。介电材料消耗凹槽的一些体积，从而减少形成在凹槽中的外延源极/漏极区中的应变诱导材料的体积。本发明实施例涉及通过凹槽轮廓控制的增强的体积控制。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 凹槽 轮廓 控制 增强 体积 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：外延源极/漏极区，布置在半导体本体的位于沟道区的相对两侧上的上表面内的凹槽中；栅极结构，布置在所述半导体本体上，位于所述沟道区上方；以及介电材料，横向地布置在所述外延源极/漏极区和所述沟道区之间。
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