[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、以及阵列基板

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、及阵列基板，其中所述制作方法包括在基板上依次形成第一栅极和第二栅极、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层和第三栅极、第三绝缘层以及源极和漏极，从而制作出薄膜晶体管，其中该薄膜晶体管包括由第一栅极与其上方的源极和漏极构成的单栅子薄膜晶体管和由第二栅极与其上方的源极、漏极和第三栅极构成的双栅子薄膜晶体管。本发明的制作方法可以同时制作含有单栅和双栅两种类型的薄膜晶体管，且具有制作工艺成熟稳定、制作过程简单、成本低等优点。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成第一栅极、第二栅极和第一绝缘层，其中所述第一栅极与第二栅极绝缘隔开，所述第一绝缘层覆盖整个所述第一栅极和部分第二栅极；在所述第一绝缘层上形成半导体层，并在所述第二栅极上方的半导体层上形成第二绝缘层和第三栅极，其中，所述第三栅极置于所述第二绝缘层上；在所述半导体层上形成第三绝缘层，其中，所述第三绝缘层覆盖部分所述第一栅极上方的半导体层，使所述第一栅极上方的半导体层部分暴露；所述第三绝缘层覆盖所述第二绝缘层和第三栅极，在所述第二绝缘层和第三栅极两侧的所述第三绝缘层上设有两个开口，使对应所述两个开口的半导体层暴露；在所述暴露的半导体层上形成漏极和源极，其中，所述第一栅极上方的源极或漏极与所述第二栅极连接。