[发明专利]SONOS存储器及工艺方法

摘要

本发明公开了一种SONOS存储器，包括：在P阱中具有源区及漏区，源区与漏区之间为存储器的沟道区，在沟道区的硅表面，具有ONO介质层，ONO介质层之上为多晶硅栅极；多晶硅栅极两侧的ONO介质层上为多晶硅栅极的侧墙；所述侧墙为双层结构，靠近多晶硅栅极的内层为氮化硅侧墙，外层为氧化硅侧墙；所述多晶硅栅极底部栅长方向两端具有向多晶硅栅极内部凹陷的空间，该空间内填充氧化硅，使多晶硅栅极沟道两端处的介质层总厚度大于沟道区上方的介质层厚度。本发明还公开了所述SONOS存储器的工艺方法。

主权项

1.一种SONOS存储器的工艺方法，其特征在于，包含如下的工艺步骤：第1步，在硅衬底上进行P阱注入，然后在硅片表面形成氧化硅膜；第2步，光刻定义出沟道区，进行沟道注入，再去除沟道区上方的氧化硅膜；第3步，在沟道区上方形成ONO介质层；第4步，在ONO介质层上形成栅氧化膜，然后淀积多晶硅层，光刻及刻蚀形成多晶硅栅极；对栅氧化膜进行过刻蚀，使多晶硅栅极底部两端位置刻蚀掉一部分多晶硅而形成凹陷；然后进行多晶硅栅极热退火；第5步，淀积氮化硅并刻蚀，形成多晶硅栅极的内层侧墙，然后淀积氧化硅并刻蚀形成多晶硅栅极的外层侧墙；第6步，进行源区、漏区的注入。