[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610614946.6 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN107665946A | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 易亮;许加庆;王献德;陈克基 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括一基板、一底部金属层、一电阻式随机存取存储(ReRAM)单元结构以及一上部金属层。底部金属层位于基板上方，ReRAM单元结构形成于底部金属层上。ReRAM单元结构包括一底电极、一存储单元层、一顶电极及一侧壁子，存储单元层形成于底电极上，顶电极形成于存储单元层上，侧壁子形成于底电极、存储单元层以及顶电极的两侧上。上部金属层电连接至顶电极并直接接触顶电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：基板；底部金属层，位于该基板上方；电阻式随机存取存储(ReRAM)单元结构，形成于该底部金属层上，该电阻式随机存取存储单元结构包括：底电极；存储单元层，形成于该底电极上；顶电极，形成于该存储单元层上；及侧壁子，形成于该底电极、该存储单元层以及该顶电极的两侧上；以及上部金属层，电连接至该顶电极并直接接触该顶电极。
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