[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法有效
申请号: | 201610613142.4 | 申请日: | 2016-07-29 |
公开(公告)号: | CN106098888B | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 卫婷;刘小星;顾小云;王力明 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/46;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法,属于半导体技术领域。所述LED芯片包括衬底、以及依次层叠在衬底的第一表面的N型层、发光层、P型层,P型层上设有延伸至N型层的凹槽,P型层上依次层叠有电流阻挡层、透明导电层、P型电极,N型层上设有N型电极,N型层、凹槽的侧壁和透明导电层上覆盖有钝化层,衬底的第二表面设有反射层,衬底的第二表面为与衬底的第一表面相反的表面,LED芯片的侧面与LED芯片的底面的夹角大于90°且小于180°,LED芯片的底面为反射层的表面,LED芯片的侧面为LED芯片的底面的相邻表面。本发明可以提高LED的出光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管LED芯片的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:在衬底的第一表面依次生长N型层、发光层、P型层,所述衬底为蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底;在所述P型层上开设延伸至所述N型层的凹槽;在所述凹槽内形成延伸至衬底的切割道;在所述P型层上依次形成电流阻挡层、透明导电层、P型电极,在所述N型层上形成N型电极,并在所述透明导电层、所述凹槽的侧壁和所述N型层上覆盖钝化层;减薄所述衬底的厚度;在所述衬底的第二表面设置反射层,所述衬底的第二表面为与所述衬底的第一表面相反的表面;利用双束激光器分别沿所述切割道的两个侧壁的对所述衬底进行激光切割,切割的深度为所述衬底厚度的1/3~1/2;利用双刀刃劈刀分别沿双束激光切割的方向进行劈裂,得到若干独立的LED芯片,所述LED芯片的侧面与所述LED芯片的底面的夹角为110°~130°;抽取双刀刃之间的空气,所述双刀刃在大气压力的作用下夹紧残留的所述衬底;移走所述LED芯片;向所述双刀刃之间输送空气,所述双刀刃松开,残留的所述衬底在重力的作用下落入下方;其中,所述双刀刃分别与气囊连接,所述气囊的输气口与气泵的一个输气口连通,所述气泵的另一个输入口与空气连通,所述双刀刃设置在击锤的下方。
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