[发明专利]一种高电阻率单晶氧化锌及其制备方法和应用有效
申请号: | 201610612939.2 | 申请日: | 2016-07-29 |
公开(公告)号: | CN106065493B | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 黄丰;季旭;董美 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | C30B29/16 | 分类号: | C30B29/16;C30B31/04;C30B33/02 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 陈卫 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种高电阻率单晶氧化锌及其制备方法和应用。该方法是将单晶ZnO晶片置于金属锂电化学装置中恒流放电处理后,放于800~1000℃、10~30atm的高压氧气气氛中退火处理20~28小时,得到所述高电阻率单晶氧化锌。该方法采用电化学方法结合退火处理,只需要简单的两个步骤即可获得超高电阻率的单晶ZnO晶片,得到的ZnO晶片电阻率高达1011 ohm cm。而且,本发明的制备方法新颖、操作简单,成本低,可重复性高,具有很好的推广应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 电阻率 氧化锌 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种高电阻率单晶氧化锌的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1.将单晶ZnO晶片置于金属锂电化学装置中,恒流放电处理;其中,所述金属锂电化学装置为锂电池壳;S2.将步骤S1处理过的ZnO单晶放于600~1000℃、5~30atm的氧气气氛中退火处理10~28小时,即可得到高电阻率ZnO单晶片。
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