[发明专利]半导体存储装置及其动作方法有效
申请号: | 201610609826.7 | 申请日: | 2016-07-29 |
公开(公告)号: | CN106981305B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 须藤直昭 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08;G11C16/10 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种半导体存储装置及其动作方法,抑制了因浮动栅极耦合造成的影响而可靠性高。本发明的半导体存储装置包括:存储器阵列,形成有多个NAND串;行选择部件,选择存储器阵列的行;以及位线选择电路(200),选择所选择的行的偶数页面或奇数页面。偶数页面(BL0、BL1、BL4、BL5)包含多对邻接的一对位线,奇数页面(BL2、BL3、BL6、BL7)包含多对邻接的一对位线,偶数页面的位线对与奇数页面的位线对交替地配置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 及其 动作 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体存储装置,其特征在于包括:存储器阵列,形成有多个与非串;行选择部件,选择所述存储器阵列的行;以及页面选择部件,选择由所述行选择部件所选择的行的偶数页面或奇数页面,所述偶数页面包含多对邻接的一对位线,所述奇数页面包含多对邻接的一对位线,所述偶数页面的位线对与所述奇数页面的位线对交替。
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