[发明专利]半导体存储装置及其动作方法有效

专利信息
申请号: 201610609826.7 申请日: 2016-07-29
公开(公告)号: CN106981305B 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 须藤直昭 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08;G11C16/10
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供一种半导体存储装置及其动作方法,抑制了因浮动栅极耦合造成的影响而可靠性高。本发明的半导体存储装置包括:存储器阵列,形成有多个NAND串;行选择部件,选择存储器阵列的行;以及位线选择电路(200),选择所选择的行的偶数页面或奇数页面。偶数页面(BL0、BL1、BL4、BL5)包含多对邻接的一对位线,奇数页面(BL2、BL3、BL6、BL7)包含多对邻接的一对位线,偶数页面的位线对与奇数页面的位线对交替地配置。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 及其 动作 方法
【主权项】:
一种半导体存储装置,其特征在于包括:存储器阵列,形成有多个与非串;行选择部件,选择所述存储器阵列的行;以及页面选择部件,选择由所述行选择部件所选择的行的偶数页面或奇数页面,所述偶数页面包含多对邻接的一对位线,所述奇数页面包含多对邻接的一对位线,所述偶数页面的位线对与所述奇数页面的位线对交替。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司,未经华邦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610609826.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top