[发明专利]具有用于非平面晶体管器件的保护环结构的集成电路有效
| 申请号： | 201610598851.X | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106486465B | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | C·H·霍尔 | 申请（专利权）人： | 阿尔特拉公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请提供了一种具有保护环的集成电路。集成电路可以包括对随机噪声源敏感的功能电路系统。该功能电路系统可以使用非平面晶体管器件(诸如鳍式场效应晶体管即FinFET器件)形成。可以提供帮助功能电路系统与干扰噪声源隔离的非平面保护环。该非平面保护环可以包括使用扩散区的长矩形条和/或较小交错的L形扩散区形成的边缘。L形扩散区的至少两列多个联锁对或至少一列相错的L形扩散区可以沿着非平面保护环的边缘形成，以帮助确保沿着该边缘的邻近的L形扩散区之间适当的噪声泄漏保护。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 平面 晶体管 器件 保护环 结构 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，所述集成电路包括：非平面晶体管；以及保护环，所述保护环围绕所述非平面晶体管，包括排列在第一列中的第一多个离散的非矩形扩散区并且包括排列在第二列中的第二多个离散的非矩形扩散区，其中所述第一和第二多个离散的非矩形扩散区在列方向上彼此相错，使得不存在通过所述第一和第二列中相应对的邻近的离散的非矩形扩散区的间隙，该间隙形成用于到所述非平面晶体管的直接噪声泄漏的扩散路径。
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