[发明专利]封装结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610595174.6 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN106469661B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 余振华;苏安治 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 实施例是方法，所述方法包括形成第一封装件。形成第一封装件包括邻近第一管芯形成穿孔，使用密封剂至少横向地密封第一管芯和穿孔，以及在第一管芯、穿孔和密封剂上方形成第一再分布结构。形成第一再分布结构包括在穿孔上形成第一通孔，以及在第一通孔上形成第一金属化图案，所述第一金属化图案的至少一个侧壁直接位于穿孔上面。本发明实施例涉及封装结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体封装结构的方法，包括：形成第一封装件，形成所述第一封装件包括：将第一管芯的第一侧附接至第二管芯的第一侧；邻近所述第一管芯并且在所述第二管芯上方形成穿孔，其中，所述穿孔电连接至所述第二管芯；利用密封剂至少横向地密封所述第一管芯和所述穿孔；在所述第一管芯、所述穿孔和所述密封剂上方形成第一再分布结构，形成所述第一再分布结构包括：在所述穿孔上形成第一通孔；以及在所述第一通孔上形成第一金属化图案，所述第一金属化图案的至少一个侧壁直接位于所述穿孔的上面，其中，所述第一管芯通过所述穿孔和至少部分所述第一再分布结构电连接至所述第二管芯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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