[发明专利]脊形半导体激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 201610583933.7 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN107645122B | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 黄莹;李德尧;刘建平;张立群;张书明;杨辉 | 申请（专利权）人： | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/227 | 分类号： | H01S5/227;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 李远思 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州经济*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种脊形半导体激光器，包括衬底、形成于所述衬底上的外延结构，所述外延结构的顶部具有脊形半导体层，所述脊形半导体层包括脊形部以及位于脊形部两侧的第一台阶部和第二台阶部；在所述脊形部的两侧面以及所述第一台阶部和第二台阶部的上表面，应用离子注入工艺分别形成有离子注入层。本发明提出的半导体激光器能够抑制载流子向脊形两侧的扩展，提高载流子的注入效率。此外，P型氮化铝镓上限制层与N型氮化铝镓离子注入层形成P‑N结，当激光器工作在正向时，此P‑N结工作在反向，漏电较小，即使激光器无绝缘层，也可以阻止电流从脊形部两侧注入。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种脊形半导体激光器，包括衬底、形成于所述衬底上的外延结构，所述外延结构的顶部具有脊形半导体层，所述脊形半导体层包括脊形部以及位于脊形部两侧的第一台阶部和第二台阶部；其特征在于，在所述脊形部的两侧面以及所述第一台阶部和第二台阶部的上表面，应用离子注入工艺分别形成有离子注入层；所述脊形半导体层为P型半导体，所述离子注入层为N型半导体，所述脊形半导体层和所述离子注入层之间形成P‑N结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州增益光电科技有限公司，未经杭州增益光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610583933.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种翻转锁紧机构及其自拍杆
- 下一篇：一种压力变送器
