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[发明专利]InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法-CN201610945995.8有效
发明人：田爱琴;刘建平;张书明;李德尧;张立群;杨辉 -专利权人： 杭州增益光电科技有限公司
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种InGaN/GaN量子阱激光器，其包括：衬底；依序在衬底上的低温GaN缓冲层、高温n型GaN层和n型AlGaN光限制层；在n型AlGaN光限制层上的n型InGaN下波导层；在n型InGaN下波导层上的InGaN/GaN量子阱有源区；在InGaN/GaN量子阱有源区上的u型InGaN上波导层；在u型InGaN上波导层上的p型AlGaN电子阻挡层；在p型AlGaN电子阻挡层上的p型AlGaN/GaN光限制层；在p型AlGaN/GaN光限制层上的p型GaN欧姆接触层。本发明还公开一种该InGaN/GaN量子阱激光器的制作方法。本发明采用1～2个单原子层厚度的InxGa1‑xN插入盖层使InGaN量子阱表面二维岛状的形貌变得平整，从而In组分分布更加均匀，且使之后形成的GaN盖层有更好的质量，在升温过程中保证InGaN量子阱不会发生分解，并且在之后的高温生长p型AlGaN/GaN光限制层的过程中不会发生热退化。
ingan gan 量子激光器及其制作方法

[发明专利]半导体激光器及其制作方法-CN201610363086.3有效
发明人：程洋;刘建平;田爱琴;冯美鑫;张峰;张书明;李德尧;张立群;杨辉 -专利权人： 杭州增益光电科技有限公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器，其包括衬底以及在所述衬底上依次叠层设置的下限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层以及上限制层；该半导体激光器还包括夹设于所述下波导层与所述量子阱有源区之间的空穴阻挡层。根据本发明的半导体激光器通过在下波导层与量子阱有源区之间制备空穴阻挡层，从而有效阻挡了空穴从量子阱有源区向下波导层、下限制层的N型区一侧泄露，提高了载流子的注入效率，从而提升了该半导体激光器的性能。本发明还公开了上述半导体激光器的制作方法。
半导体激光器及其制作方法

[发明专利]脊形阵列半导体激光器及其制作方法-CN201610578278.6有效
发明人：黄莹;李德尧;刘建平;张立群;张书明;杨辉 -专利权人： 杭州增益光电科技有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供一种脊形阵列半导体激光器，包括衬底、形成于所述衬底上的外延结构，所述外延结构的顶部具有脊形半导体层，所述脊形半导体层包括多个脊形部，所述多个脊形部的宽度不相等。本发明提出的脊形阵列半导体激光器，通过在外延结构的顶部设置多个脊形部，多个脊形部的宽度不相等，能够降低激光器在工作时有源区中心与有源区两侧的温差，从而使得整个激光器结构温度分布均匀，使得激光器工作时输出特性一致。
阵列半导体激光器及其制作方法

[发明专利]脊形半导体激光器及其制作方法-CN201610583933.7有效
发明人：黄莹;李德尧;刘建平;张立群;张书明;杨辉 -专利权人： 杭州增益光电科技有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01S5/227 文献下载
摘要：本发明提供一种脊形半导体激光器，包括衬底、形成于所述衬底上的外延结构，所述外延结构的顶部具有脊形半导体层，所述脊形半导体层包括脊形部以及位于脊形部两侧的第一台阶部和第二台阶部；在所述脊形部的两侧面以及所述第一台阶部和第二台阶部的上表面，应用离子注入工艺分别形成有离子注入层。本发明提出的半导体激光器能够抑制载流子向脊形两侧的扩展，提高载流子的注入效率。此外，P型氮化铝镓上限制层与N型氮化铝镓离子注入层形成P‑N结，当激光器工作在正向时，此P‑N结工作在反向，漏电较小，即使激光器无绝缘层，也可以阻止电流从脊形部两侧注入。
半导体激光器及其制作方法

[发明专利]超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法-CN201510953170.6有效
发明人：高雪;周坤;孙逸;冯美鑫;刘建平;孙钱;张书明;李德尧;张立群;杨辉 -专利权人： 杭州增益光电科技有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法。所述外延结构包括从下到上依次设置的Si衬底、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、GaN波导层、n型AlGaN层、n型或i型InGaN下波导层、有源区、p型或i型InGaN上波导层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN上光学限制层、p型或n型GaN或InGaN接触层。优选的，所述有源区采用i型InGaN/GaN多量子阱或量子点有源区。所述GaN波导层的厚度与所述超辐射发光二极管或激光器的脊形条宽相当。藉由本发明的所述外延结构，注入的载流子可以被有效的限制在很薄的有源区中，其复合产生的光强能够从有源区扩展到第一波导结构中，而因其中的GaN波导层较厚，该波导结构可以显著提高超辐射发光二极管、激光器的光束质量。
辐射发光二极管激光器外延结构及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法-CN201410120399.7有效
发明人：温鹏雁;李德尧;张书明;刘建平;张立群;杨辉 -专利权人： 杭州增益光电科技有限公司
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化镓基半导体激光器，包括衬底、设置在衬底上的波导结构及设置在衬底与波导结构之间的多量子阱吸收层，其中，多量子阱吸收层用于吸收由波导结构泄漏到衬底中的光。本发明还公开一种氮化镓基半导体激光器的制作方法。本发明的氮化镓基半导体激光器及其制作方法，未出现衬底模式，改善了远场光斑。
一种氮化半导体激光器及其制作方法