[发明专利]一种功率器件芯片的稳定化上芯方法有效
| 申请号： | 201610574829.1 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN106229306B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 苏剑波;蔡良正;徐星德;何延峰 | 申请（专利权）人： | 浙江益中智能电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/56;H01L21/48 |
| 代理公司： | 台州市方圆专利事务所(普通合伙) 33107 | 代理人： | 林米良 |
| 地址： | 317500 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率器件芯片的稳定化上芯方法，属于功率器件处理技术领域。为了解决现有的稳定性差和空洞率过高的问题，提供一种功率器件芯片的稳定化上芯方法，该方法包括在氢氮混合气体的保护下，使铜框架进行预加热处理；再进入点焊区进行点焊处理，使在焊盘上形成锡球；再进入压模区对锡球进行整形，使锡球铺开在铜框架的焊盘上；然后进入焊接区将芯片放置在相应的焊盘锡球上进行焊接，使芯片的背面焊接在焊盘上；再进入后加热区进行加热处理后，再进行冷却处理后，完成功率器件芯片的上芯。本发明能够提高操作的稳定性，且能够有效防止焊锡出现体积收缩现象，实现保证低空洞率和倾斜度低的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 芯片 稳定 化上芯 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件芯片的稳定化上芯方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：A、在氢氮混合气体的保护下，使需要上芯的铜框架(1)先经过上芯工序加热轨道中的预热区进行预加热处理，使铜框架(1)经过预热区后的温度升温控制在320℃～350℃；B、经过预热区后，再使铜框架(1)进入点焊区进行点焊处理，使在铜框架(1)的焊盘(12)上形成锡球；C、点焊完成后，再使铜框架(1)进入压模区对锡球进行整形，使锡球铺开在铜框架(1)的焊盘(12)上；D、然后进入焊接区将芯片(2)放置在相应的锡球上进行焊接，使芯片(2)的背面焊接在焊盘(12)上；E、焊接完成后进入后加热区进行加热处理后，且使后加热区的温度设定在180℃～200℃，然后再进入冷却区进行冷却处理后，完成功率器件芯片的上芯。
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