[发明专利]一种金属与宽带隙半导体接触的结构和制造方法在审
| 申请号： | 201610569414.5 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN107623024A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 黄升晖 | 申请（专利权）人： | 南京励盛半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210008 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属与宽带隙(或称宽禁带)半导体接触的结构和制造方法，包括以下特征与金属接触的高浓度掺杂区，其中至少有一部分高掺杂区是由等离子体浸没离子法注入的，注入的掺杂离子主要是在表面，深度少于3000A，浓度大于5e18cm‑3。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 宽带 半导体 接触 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属与宽带隙半导体接触的结构和制造工艺，其特征在于，最少包括以下步骤：1.与金属接触的高浓度掺杂区，其中至少有一部分高掺杂区是由等离子体浸没离子法注入的，在注入时，衬底温度没有特别要求，可以低于室温，可以是室温，也可以高于室温，注入的掺杂离子主要是在表面，深度少于3000A，浓度大于5e18cm‑3；2.完成上述步骤1后便进行退火热处理，把晶格损伤除掉，所述的退火热处理温度为600至1200℃之间，时间为10分钟至500分钟之间；3.然后，使用退火热处理，温度为1200至1800℃之间，时间为10分钟至500分钟之间，把已经注入的掺杂离子激活，形成高浓度掺杂区；4.之后沉积金属或难容金属或难容金属合金在高掺杂的宽带隙半导体表面上，最后选择适当的退火条件使之生成低阻的接触势垒。
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