[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置在审
| 申请号： | 201610565433.0 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN107634088A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法、电子装置。所述半导体器件包括鳍片；栅极结构，位于所述鳍片的上方并环绕所述鳍片设置；虚拟鳍片，位于所述栅极结构两侧的源漏区域的外侧并且与所述鳍片间隔设置；源漏外延层，位于所述源漏区域上且沿所述栅极结构的方向延伸，所述源漏外延层同时覆盖所述鳍片和所述虚拟鳍片。本发明所述半导体器件中所述栅极结构两侧的源漏区域的外侧设置若干虚拟鳍片，所述虚拟鳍片位于沟道位置的部分切割去除，仅保留源漏区外侧的部分，从而增加了源漏的外延区域，通过所述源漏外延层的设置可以增加接触结构的面积，从而显著的减小了接触电阻，使所述半导体器件的性能和良率均得到极大的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：鳍片；栅极结构，位于所述鳍片的上方并环绕所述鳍片设置；虚拟鳍片，位于所述栅极结构两侧的源漏区域的外侧并且与所述鳍片间隔设置；源漏外延层，位于所述源漏区域上且沿所述栅极结构的方向延伸，所述源漏外延层同时覆盖所述鳍片和所述虚拟鳍片。
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