[发明专利]沟槽功率器件及制作方法

摘要

本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过将第一沟槽和第二沟槽顶部的栅极材料层氧化形成第二氧化层，并在第一沟槽和第二沟槽中栅极材料层顶部侧面留有阻止层，在第二沟槽中栅极材料层顶部两侧留有部分第二氧化层，再通过形成侧墙，从而使整个槽栅结构均被保护住，同时还减少了介质层淀积的步骤及该步骤产生的表面不平坦化，减少接触孔光刻层次，在现有光刻设备条件下使槽栅结构在加工工艺中不受到接触孔不稳定工艺的影响，实现更小线宽产品自对准功能，降低生产成本，使产品的参数和可靠性满足要求。

主权项

一种沟槽功率器件的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一阻止层、第二阻止层及第三阻止层；刻蚀所述第三阻止层、第二阻止层、第一阻止层以及部分厚度的半导体衬底以形成第一沟槽和第二沟槽；在所述半导体衬底中所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁和底壁上生长栅介电层；在所述第一沟槽及第二沟槽中形成栅极材料层，所述栅极材料层顶端与所述第三阻止层顶端齐平；氧化栅极材料层，使得所述栅极材料层表面形成第二氧化层；去除第一沟槽外侧及第一沟槽和第二沟槽之间的部分第三阻止层和部分第二阻止层，暴露出第一阻止层，所述第一沟槽的栅极材料层被第二氧化层、剩余的第三阻止层和剩余的第二阻止层围绕，去除第二沟槽中第二氧化层的中间部分，暴露出栅极材料层；在所述半导体衬底中第一沟槽和第二沟槽两侧形成P阱；在所述半导体衬底中第一沟槽和第二沟槽两侧所述P阱上形成N型区；紧靠所述剩余的第三阻止层的侧壁和剩余的第二阻止层的侧壁形成第一侧墙，紧靠所述第二沟槽中剩余的第二氧化层的侧壁形成第二侧墙；刻蚀暴露出的第一阻止层至半导体衬底中，并刻蚀暴露出的栅极材料层形成接触孔；以及在所述接触孔底部形成P型区。