[发明专利]一种异质结半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610553344.4 | 申请日： | 2016-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN106025798B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 雷双瑛;沈海云;黄兰 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/323;H01S5/343;H01S5/16 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本文发明公开了一种异质结半导体激光器及其制备方法，利用双层Aδ堆垛黑磷烯和三层Aδδ堆垛黑磷烯通过横向连接可构成I型半导体异质结，用于在激光二极管中实现粒子数反转，能够有效的减小工作电流。所述半导体激光二极管由下至上依次包括：下电极(1)、衬底(2)、下包覆层(3)、有源层(4)、上包覆层(5)和上电极(6)。本发明选用的同种材料异质结更容易达到晶格匹配，制备工艺也更简单，仅仅通过范德瓦耳斯力就能将双层Aδ堆垛黑磷烯和三层Aδδ堆垛黑磷烯进行横向连接形成异质结。本文通过机械剥离的方法来得到不同堆垛结构的少层黑磷烯。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种异质结半导体激光器其特征在于，用Aδ堆垛黑磷烯的不同堆垛结构实现半导体激光器，该异质结半导体激光器的结构自下而上包括：下电极(1)、衬底(2)、下包覆层(3)、有源层(4)、上包覆层(5)和上电极(6)；其中，有源层(4)为量子阱区，激光器的两端形成光非吸收窗口(7)，其深度大于所述电极上包覆层(5)以及有源区(4)的厚度之和。
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