[发明专利]图像传感器及其制作方法

摘要

本申请案涉及一种图像传感器及其制作方法。一种图像传感器包含半导体材料，其具有安置在所述半导体材料中的光电二极管；及转移栅极，其邻近所述光电二极管的边缘而安置。电介质层也安置在所述半导体材料与所述转移栅极之间。硬掩模安置在囊封层中，且所述硬掩模的横向界限与所述转移栅极的横向界限共延伸。第一触点沟槽延伸穿过所述囊封层并穿过所述电介质层且接触所述半导体材料。第二触点沟槽延伸穿过所述囊封层并穿过所述硬掩模且接触所述转移栅极。

主权项

一种图像传感器，其包括：半导体材料，其包含安置在所述半导体材料中的光电二极管；转移栅极，其接近所述光电二极管的边缘而安置且经定位以从所述光电二极管提取图像电荷；电介质层，其安置在所述半导体材料与所述转移栅极之间；及硬掩模，其安置在囊封层中，其中所述硬掩模的横向界限与所述转移栅极的横向界限共延伸，且其中第一触点沟槽延伸穿过所述囊封层并穿过所述电介质层且接触所述半导体材料，且其中第二触点沟槽延伸穿过所述囊封层并穿过所述硬掩模且接触所述转移栅极。