[发明专利]抗辐照太阳能电池制备方法

摘要

本发明公开了一种抗辐照太阳能电池制备方法，包括六个步骤在单晶硅片表面形成SiO2层；在SiO2层上溅射钨掩蔽膜；在钨掩蔽膜上刻蚀钨掩蔽膜图形；对刻蚀完毕的钨掩蔽膜进行磷离子叠加注入；低温退火；高温扩散。本发明制备工艺简便、可靠性高、不影响太阳能电池充电。

主权项

抗辐照太阳能电池制备方法，其特征是：包括以下步骤：步骤1：采用电阻率6‑8Ω•cm的P型单晶硅片，在表面热氧化形成一个20‑45nm厚度的SiO2层；步骤2：在SiO2层上溅射一层钨掩蔽膜；步骤3：通过光刻、刻蚀的方式形成钨掩蔽膜图形，使得该图形注入区线宽2‑3μm，掩蔽间隔宽3‑4μm；步骤4：对钨掩蔽膜进行磷离子叠加注入，次数为五次，每次注入的能量和剂量分别为0.4MeV，3×1014/cm2；0.7MeV，3×1013/cm2；1.2MeV，5×1013/cm2；3MeV，8×1013/cm2；6MeV，1×1014/cm2；步骤5：在保护氮气环境下对离子注入完毕的单晶硅片进行低温退火，温度600℃，时间一小时；保护氮气流量为0.7L/min;步骤6：低温退火完毕，继续在氮气保护下，在1000℃的温度下扩磷13min。