[发明专利]用于处理半导体晶片的设备和方法有效
| 申请号： | 201610544080.6 | 申请日： | 2013-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN106024611B | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 斯图尔特·罗斯·文哈姆;菲利普·乔治·哈默;布雷特·杰森·哈拉姆;阿德莱恩·苏吉安托;凯瑟琳·艾米丽·尚;宋立辉;吕珮玄;艾利森·马里·文哈姆;林·迈;张子文;徐光琦;马修·布鲁斯·爱德华兹 | 申请（专利权）人： | 新南创新私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;陈鹏 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于处理半导体晶片的设备和方法，以用于制造光伏装置，所述设备包括：加热区，在氢源的存在下，能操作以将所述半导体晶片的至少一个区域加热至至少100℃；以及冷却区，包括第一照射器件，所述第一照射器件被配置为在所述半导体晶片的冷却期间利用光子照射所述半导体晶片的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 半导体 晶片 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理半导体晶片的设备，以用于制造光伏装置，所述设备包括：加热区，在氢源的存在下，能操作以将所述半导体晶片的至少一个区域加热至至少100℃；以及冷却区，包括第一照射器件，所述第一照射器件被配置为在所述半导体晶片的冷却期间利用光子照射所述半导体晶片的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
