[发明专利]一种平面异质结钙钛矿光伏电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610543494.7 申请日: 2016-07-11
公开(公告)号: CN106025078B 公开(公告)日: 2018-07-17
发明(设计)人: 杨少鹏;侯丽新;崔运超;傅广生;赵晓辉 申请(专利权)人: 河北大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 代理人: 苏艳肃
地址: 071002 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明涉及一种平面异质结钙钛矿光伏电池及其制备方法,本发明通过在电极修饰层中掺杂液晶分子,增强了电极修饰层传输电子或空穴的能力,促使钙钛矿吸光层中产生的电子和空穴及时快速运输到外电路;利用液晶分子具有有序性和流动性的自组装特性,诱导电极修饰层材料有序生长,增强电极修饰层材料的结晶性,形成平整致密的薄膜形貌。在其表面形成的钙钛矿层晶体中缺陷少、规整度高,膜层平整、均匀、致密,有效提高载流子扩散距离,降低电子与空穴的复合,进而显著提高电池的光电转换效率和稳定性。同时,本发明掺杂液晶分子的电极修饰层,采用低温溶液法制备,更适合大面积钙钛矿光伏电池的卷对卷工业化生产,工艺简单、制造成本低。
搜索关键词: 电极修饰 钙钛矿 空穴 光伏电池 液晶分子 致密 异质结 制备 掺杂 平整 光电转换效率 载流子扩散 薄膜形貌 表面形成 传输电子 低温溶液 钙钛矿层 快速运输 诱导电极 制造成本 规整度 结晶性 卷对卷 外电路 吸光层 修饰层 自组装 膜层 电池 复合 生长
【主权项】:
1.一种平面异质结钙钛矿光伏电池,其包括衬底和依次层叠于该衬底上的透明电极、电极修饰层、钙钛矿吸光层、电极缓冲层和对电极,其特征是,所述的电极修饰层为掺杂有液晶分子的电子传输层或空穴传输层;其中,所述电极修饰层中液晶分子所占重量比为10‑35%,所述液晶分子为向列型、距列型、胆固醇型或圆盘型中的任意一种。
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