[发明专利]一种微波等离子体化学气相法生长单晶金刚石的基片台和方法在审
| 申请号： | 201610535372.3 | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106048719A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 贾俊基;刘佳伟;刘雄辉;王耀光;刘刚 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/12 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 汪俊锋 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微波等离子体化学气相法生长单晶金刚石的基片台和方法，属于晶体合成领域。为一表面光滑的钼片，在其上表面加工有一个方形凹槽，该凹槽由内凹槽和外凹槽组成台阶形，所述内凹槽用于盛放金刚石籽晶，深度与放入的金刚石籽晶的厚度相同；所述外凹槽深度为0.5毫米。本发明利用凹槽能抑制金刚石籽晶边缘的过快生长、保持生长面均匀平整的作用，显著地提高了人工生长的单晶金刚石的质量。在生长过程中，需要调节凹槽的形状及尺寸，使金刚石整个生长面生长速率保持均一。本发明设计有着设计制作简单、使用范围广及生长的金刚石品质高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 等离子体 化学 气相法 生长 金刚石 基片台 方法 | ||
【主权项】：
一种微波等离子体化学气相法生长单晶金刚石的基片台，其特征在于，为一表面光滑的钼片，在其上表面加工有一个方形凹槽，该凹槽由内凹槽和外凹槽组成台阶形，所述内凹槽用于盛放金刚石籽晶，所述外凹槽用于持续抑制籽晶边缘的过快生长。
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