[发明专利]增强型晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610532567.2 | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN107591444B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 付凯;何涛;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种增强型晶体管，包括衬底以及依次形成于所述衬底上的背势垒层、沟道层和异质层，所述异质层上设置有一高迁移率薄膜层，所述高迁移率薄膜层定义出源极区、漏极区和栅极区，所述源极区和漏极区分别连接有源电极和漏电极，所述栅极区被刻蚀形成一暴露出所述异质层的窗口；所述高迁移率薄膜层上依次形成有绝缘介质层和栅电极，所述栅电极在所述高迁移率薄膜层上的投影至少完全覆盖所述窗口。本发明提供的增强型晶体管及其制作方法，提出了一种实现增强型高迁移率晶体管的解决方案，提升了整个增强型晶体管的电子迁移率和工作频率、降低了整个增强型晶体管的导通损耗和开关损耗、简化了制作工艺及晶体管的结构、降低了制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种增强型晶体管，包括衬底以及依次形成于所述衬底上的背势垒层、沟道层和异质层，其特征在于，所述异质层上设置有一高迁移率薄膜层，所述高迁移率薄膜层定义出源极区、漏极区和栅极区，所述源极区和漏极区分别连接有源电极和漏电极，所述栅极区被刻蚀形成一暴露出所述异质层的窗口；所述高迁移率薄膜层上依次形成有绝缘介质层和栅电极，所述栅电极在所述高迁移率薄膜层上的投影至少完全覆盖所述窗口。
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