[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括相邻的第一区域和第二区域，基底包括：衬底和第一鳍部，第一鳍部包括第一侧和第二侧，第一侧朝向第二区域；在第二区域形成图形层，图形层覆盖所述第二区域或暴露出邻近第一区域的部分第二区域；以图形层为掩膜，向第一鳍部一侧侧壁进行离子注入，在第一鳍部底部注入掺杂离子；当图形层暴露出邻近第一区域的部分第二区域时，向第一侧侧壁进行离子注入；当图形层覆盖第二区域时，向第二侧侧壁进行离子注入；进行扩散处理，使掺杂离子在第一鳍部中扩散。其中，对第一鳍部一侧进行离子注入，容易避免光刻胶的阻挡使掺杂离子注入到鳍部底部，从而能够降低第一鳍部侧壁掺杂浓度的不均匀性。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括相邻的第一区域和第二区域，所述基底包括：衬底和位于所述第一区域衬底上的第一鳍部，所述第一鳍部包括相对的第一侧和第二侧，所述第一侧朝向所述第二区域；在所述第二区域基底上形成图形层，所述图形层全部覆盖所述第二区域或暴露出邻近第一区域的部分第二区域；以所述图形层为掩膜，向所述第一鳍部一侧侧壁进行离子注入，在所述第一鳍部底部注入掺杂离子，所述离子注入的步骤包括：当所述图形层暴露出邻近第一区域的部分所述第二区域时，向所述第一鳍部第一侧侧壁进行离子注入；当所述图形层全部覆盖所述第二区域时，向所述第一鳍部第二侧侧壁进行离子注入；对所述第一鳍部进行扩散处理，使所述掺杂离子在所述第一鳍部中扩散。