[发明专利]用于使产率改进的使用铜合金的混合接合件在审
| 申请号： | 201610512057.9 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN106373940A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 蔡喻丞;庄俊杰;王俊智;杨敦年;洪丰基;黄志辉;卢彦池;陈如曦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了使用基于铜合金的混合接合件的集成电路(IC)。该IC包括彼此垂直堆叠的一对半导体结构。该对半导体结构包括相应的介电层和布置在介电层中的相应的金属部件。金属部件包括具有铜和再生金属的铜合金。IC进一步包括布置在半导体结构之间的界面处的混合接合件。混合接合件包括将介电层接合在一起的第一接合件和将金属部件接合在一起的第二接合件。第二接合件包括布置在金属部件的铜晶粒之间且由再生金属填充的空隙。还提供了使用基于铜合金的混合接合件用于将一对半导体结构接合在一起的方法。本发明实施例涉及用于使产率改进的使用铜合金的混合接合件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使产率 改进 使用 铜合金 混合 接合 | ||
【主权项】：
一种集成电路(IC)，包括：一对半导体结构，彼此垂直地堆叠并且包括相应的介电层和布置在所述介电层中的相应的金属部件，其中，所述金属部件包括铜合金，所述铜合金具有铜和再生金属；以及混合接合件，布置在所述半导体结构之间的界面处，其中，所述混合接合件包括将所述介电层接合在一起的第一接合件和将所述金属部件接合在一起的第二接合件，其中，所述第二接合件包括布置在所述金属部件的铜晶粒之间并且由所述再生金属填充的间隙。
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