[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底至少包括存储区域和接触插塞区域；在所述存储区域的半导体衬底上形成多层叠层结构，每一叠层结构包括电介质层及位于电介质层上方的控制栅层；形成覆盖所述多层叠层结构以及所述接触插塞区域的第一介电层，在所述接触插塞区域中的第一介电层中形成与所述多层叠层结构中的控制栅层对应的多个第一接触插塞；在所述第一介电层上形成第二介电层，并在所述第二介电层中形成与所述多个第一接触插塞对应连接的多个第二接触插塞。该制作方法可以降低工艺难度和成本。该半导体器件和电子装置具有结构简单，成本低的优点。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底至少包括存储区域和接触插塞区域；在所述存储区域的半导体衬底上形成多层叠层结构，每一叠层结构包括电介质层及位于电介质层上方的控制栅层；形成覆盖所述多层叠层结构以及所述接触插塞区域的第一介电层，在所述接触插塞区域中的第一介电层中形成与所述多层叠层结构中的控制栅层对应的多个第一接触插塞，所述第一接触插塞由每一所述控制栅层倾斜延伸至所述第一介电层的上表面；在所述第一介电层上形成第二介电层，并在所述第二介电层中形成与所述多个第一接触插塞对应连接的多个第二接触插塞，其中，每个对应的第一接触插塞和第二接触插塞与一个相应的控制栅层连接。