[发明专利]一种GaN基发光二极管的外延片的制作方法有效
| 申请号： | 201610487673.3 | 申请日： | 2016-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN106057990B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 蒋媛媛;李昱桦;从颖;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管的外延片的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层、N型层、多量子阱层和P型层；多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层；最后生长的量子垒层包括多层量子垒子层，量子垒子层包括依次层叠的第一子层和第二子层，第一子层为P型掺杂的InxGa1‑xN层，第二子层为P型掺杂的AlGaN层，第二子层的生长温度高于第一子层的生长温度；其它的量子垒层为GaN层，其它的量子垒层为多量子阱层中，除最后生长的量子垒层之外的所有量子垒层；量子阱层为InyGa1‑yN层，x＜y。本发明可以提高内量子效率和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管的外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层、N型层、多量子阱层和P型层；其中，所述多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层；最后生长的所述量子垒层包括多层量子垒子层，所述量子垒子层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层为P型掺杂的InxGa1‑xN层，所述第二子层为P型掺杂的AlGaN层，所述第二子层的生长温度高于所述第一子层的生长温度；其它的所述量子垒层为GaN层，其它的所述量子垒层为所述多量子阱层中，除最后生长的所述量子垒层之外的所有所述量子垒层；所述量子阱层为InyGa1‑yN层，x＜y，所述第一子层的生长温度高于或等于所述量子阱层的生长温度，所述第一子层的掺杂浓度和所述第二子层的掺杂浓度均低于所述P型层的掺杂浓度。
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